摘要： 石墨氈電(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)(de)潤濕(shi)性(xing)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)物理(li)活性(xing)對彩色印刷電(dian)(dian)(dian)路板蝕刻(ke)液電(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)再(zai)(zai)生裝置(zhi)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能(neng)有(you)重要影響。在(zai)900 °C時，用KOH活化(hua)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈，將KOH活性(xing)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈作為電(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)池的(de)(de)(de)(de)陽極(ji)，用于堿性(xing)蝕刻(ke)廢水的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)再(zai)(zai)生。采用SEM和(he)(he)(he)XPS對石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈碳(tan)纖(xian)維活化(hua)前后(hou)的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)面形貌和(he)(he)(he)元素組成進(jin)行表(biao)(biao)征和(he)(he)(he)分(fen)析。采用循環(huan)伏安法（CV）和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)物理(li)阻抗譜(pu)（EIS）分(fen)析了(le)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)物理(li)性(xing)能(neng).結果表(biao)(biao)明，KOH活性(xing)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈碳(tan)纖(xian)維表(biao)(biao)面氧(yang)含量(liang)(liang)由原石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈的(de)(de)(de)(de)2.60%（原子百分(fen)比(bi)(bi)，下同）降低到6.27%，潤濕(shi)性(xing)得到改善(shan)。缺陷C數(shu)量(liang)(liang)增(zeng)加(jia)，Cu（I）的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)物理(li)氧(yang)化(hua)活性(xing)增(zeng)加(jia)。KOH活石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈的(de)(de)(de)(de)比(bi)(bi)表(biao)(biao)面積比(bi)(bi)原始石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈低約42倍。采用KOH活性(xing)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈進(jin)行電(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)實驗，陽極(ji)電(dian)(dian)(dian)位和(he)(he)(he)槽電(dian)(dian)(dian)流較原石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)氈分(fen)別提高(gao)了(le)0.10和(he)(he)(he)0.05~0.06V。

關(guan)鍵詞(ci)： 石(shi)墨氈; 電解再生; 蝕刻液;高激活

彩色印(yin)刷電路板（PCB）是所(suo)有電子(zi)設備的(de)重要組成部分。早在2006年，我(wo)國PCB產(chan)值早已(yi)位居世界第(di)一(yi)[1]，但(dan)隨(sui)著電子(zi)行業(ye)的(de)發展，PCB產(chan)能也將逐年下(xia)降。蝕(shi)(shi)(shi)刻加(jia)(jia)工是PCB生(sheng)產(chan)的(de)重要組成部分.蝕(shi)(shi)(shi)刻過程中(zhong)堿性(xing)氯化(hua)銅蝕(shi)(shi)(shi)刻液中(zhong)的(de)2價(jia)銅離(li)子(zi)Cu（II.）氧(yang)化(hua)不(bu)需要的(de)銅帶，形成1價(jia)銅離(li)子(zi)Cu（I.）。堿性(xing)蝕(shi)(shi)(shi)刻液的(de)蝕(shi)(shi)(shi)刻能力(li)隨(sui)著Cu（I.）的(de)降低而迅速增(zeng)加(jia)(jia)，成為(wei)蝕(shi)(shi)(shi)刻廢水(shui)(shui)[2]。蝕(shi)(shi)(shi)刻廢水(shui)(shui)銅濃度高，酸度強，必須適當回收(shou)利(li)用。PCB制造商(shang)通常使用物理氧(yang)化(hua)法(fa)對蝕(shi)(shi)(shi)刻廢水(shui)(shui)進行再(zai)生(sheng)，多余的(de)廢水(shui)(shui)被移(yi)交(jiao)給危(wei)(wei)險廢物處(chu)(chu)理中(zhong)心進行集中(zhong)回收(shou)[1]。危(wei)(wei)廢處(chu)(chu)理中(zhong)心只注重銅回收(shou)，蝕(shi)(shi)(shi)刻廢水(shui)(shui)中(zhong)的(de)非銅成分被浪(lang)費(fei)。同時，這些生(sheng)產(chan)線末端處(chu)(chu)理方法(fa)也給廢水(shui)(shui)的(de)儲存、運(yun)輸(shu)和修(xiu)復增(zeng)加(jia)(jia)了額外的(de)風險。

電(dian)(dian)(dian)(dian)物(wu)(wu)理法可(ke)實現堿(jian)(jian)性蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)廢(fei)(fei)水的(de)(de)(de)(de)原(yuan)位(wei)回(hui)收(shou)，無需(xu)添(tian)加額(e)外的(de)(de)(de)(de)物(wu)(wu)理試劑，滿足清潔和環保的(de)(de)(de)(de)要(yao)求[3]。采用電(dian)(dian)(dian)(dian)物(wu)(wu)理方法再(zai)(zai)生堿(jian)(jian)性蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)液(ye)，將陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)區域的(de)(de)(de)(de)Cu（I.）氧(yang)化為(wei)(wei)Cu（II.），并(bing)再(zai)(zai)生蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)液(ye)。陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)區域的(de)(de)(de)(de)Cu（I.）以(yi)金屬銅(tong)的(de)(de)(de)(de)形式沉積在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)上。[4] 采用大(da)陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)、小陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)構型的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)槽(cao)再(zai)(zai)生蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)液(ye)，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓密(mi)度遠大(da)于(yu)陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓密(mi)度。早(zao)期采用常規(gui)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)法[5-7]，銅(tong)離(li)子(zi)通(tong)(tong)過(guo)(guo)二氧(yang)化錳沉積在(zai)陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)上，二氧(yang)化錳容(rong)(rong)易(yi)裂解(jie)(jie)，必須定(ding)期去除(chu)。常規(gui)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)槽(cao)中(zhong)間沒有隔膜(mo)，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)區和陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)區的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)容(rong)(rong)易(yi)混合，導(dao)致電(dian)(dian)(dian)(dian)壓效(xiao)率(lv)低。[8] 在(zai)其專利中(zhong)，描(miao)述了一種(zhong)隔膜(mo)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)再(zai)(zai)生裝(zhuang)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)方法，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)石墨氈（或碳氈）、陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)銅(tong)板、蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)液(ye)通(tong)(tong)過(guo)(guo)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)再(zai)(zai)生兩組電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)池。該器件以(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)氣高(gao)(gao)程(cheng)(cheng) （~2V） 和在(zai)陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)沉積的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)質量銅(tong)運行(xing)。[9] 將陽(yang)離(li)子(zi)交換膜(mo)施(shi)加在(zai)蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)液(ye)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)再(zai)(zai)生裝(zhuang)置(zhi)上，通(tong)(tong)過(guo)(guo)進入陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)室(shi)直(zhi)接再(zai)(zai)生蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)廢(fei)(fei)水，并(bing)在(zai)陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)室(shi)中(zhong)稀(xi)釋(shi)蝕(shi)刻(ke)(ke)(ke)堿(jian)(jian)液(ye)以(yi)延遲沉積銅(tong)的(de)(de)(de)(de)物(wu)(wu)理氧(yang)化。該裝(zhuang)置(zhi)具有較高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)罐電(dian)(dian)(dian)(dian)流（6~10V），電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)槽(cao)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)大(da)，運行(xing)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)中(zhong)會形成大(da)量的(de)(de)(de)(de)廢(fei)(fei)熱，因此需(xu)要(yao)增加風(feng)冷裝(zhuang)置(zhi)。姜玉(yu)思(si)[10]報道的(de)(de)(de)(de)陽(yang)離(li)子(zi)交換膜(mo)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)裝(zhuang)置(zhi)也遇(yu)到(dao)了高(gao)(gao)槽(cao)電(dian)(dian)(dian)(dian)流（小于(yu)5V）。楊[11]利用陰(yin)(yin)(yin)離(li)子(zi)交換膜(mo)將電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)回(hui)收(shou)裝(zhuang)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)池分為(wei)(wei)陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)室(shi)和陰(yin)(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)室(shi)，碳氈為(wei)(wei)陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)，當(dang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓密(mi)度為(wei)(wei)30mA·cm-2時，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)控制在(zai)1.203~1.096V，槽(cao)電(dian)(dian)(dian)(dian)流為(wei)(wei)1.632~1.886V，有效(xiao)防止(zhi)氫氣析出(chu)。

石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)是一種具有(you)三維(wei)微孔結構和(he)大(da)比表(biao)面(mian)(mian)積的電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)材料。在(zai)(zai)相同(tong)的截面(mian)(mian)積條件下，對(dui)(dui)于(yu)電(dian)(dian)解裝置(zhi)的加工(gong)和(he)安裝，可以實(shi)現陽極(ji)(ji)(ji)實(shi)際面(mian)(mian)積數倍(bei)的要(yao)求。而且，石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)疏水(shui)性強(qiang)，活性低，直接(jie)應(ying)用(yong)于(yu)電(dian)(dian)解裝置(zhi)會有(you)很多(duo)不便，需(xu)要(yao)對(dui)(dui)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)材料進(jin)行改(gai)(gai)性。等(deng)[12]采用(yong)混合酸氧化和(he)熱處理(li)，提高了(le)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)表(biao)面(mian)(mian)含氧雙(shuang)鍵的數量和(he)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)的比表(biao)面(mian)(mian)積，并(bing)將改(gai)(gai)性石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)應(ying)用(yong)于(yu)H2/Br2燃料電(dian)(dian)池(chi)，提高了(le)電(dian)(dian)池(chi)性能。等(deng)[13]采用(yong)電(dian)(dian)物理(li)活化法氧化石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)碳(tan)纖(xian)維(wei)表(biao)面(mian)(mian)的不飽和(he)碳(tan)，氧濃度升高，使水(shui)滴在(zai)(zai)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)表(biao)面(mian)(mian)得以描繪，親水(shui)性大(da)大(da)增強(qiang)，V（IV.）的電(dian)(dian)物理(li)活性。改(gai)(gai)進(jin)了(le) /V（V） 對(dui)(dui)。季曉慶(qing)等(deng)[14]對(dui)(dui)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)進(jin)行了(le)氮氣混合處理(li)，提高了(le)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)在(zai)(zai)Cu（I.）/Cu（II.）電(dian)(dian)對(dui)(dui)上的電(dian)(dian)物理(li)活性。在(zai)(zai)堿性蝕刻液電(dian)(dian)解實(shi)驗中(zhong)，當電(dian)(dian)壓密度為30mA·cm-2時，陽極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)位在(zai)(zai)0.93~1.07V之間，槽電(dian)(dian)流為1.53~1.56V，與改(gai)(gai)性前相比為~0.05V。

KOH活(huo)化(hua)法廣泛用于制備活(huo)性(xing)炭和碳(tan)納米(mi)管活(huo)化(hua)。

ERO等(deng)[15]將自(zi)制碳納米(mi)管(guan)與KOH按一定(ding)比例混合，在N2氣氛下進行熱處理，碳納米(mi)管(guan)BET的(de)比表(biao)面積可(ke)以從原(yuan)來的(de)·g-1減(jian)小到(dao)·g-1。Kim等(deng)人[16]用KOH活化(hua)處理石墨(mo)納米(mi)纖維，得到(dao)微(wei)孔石墨(mo)納米(mi)纖維。碳材料(liao)的(de)比表(biao)面積越大，它可(ke)以提供(gong)的(de)活性(xing)位點就越多(duo)。

在這項研究中，將(jiang)石墨氈與(yu)KOH混合置于管式爐中進(jin)(jin)行低(di)溫(wen)活(huo)(huo)(huo)化。采(cai)用SEM和(he)XPS對(dui)GF碳(tan)纖維活(huo)(huo)(huo)化前后(hou)的表面形貌和(he)元(yuan)素組成進(jin)(jin)行表征和(he)分析。采(cai)用循(xun)環伏安法（CV）和(he)電(dian)(dian)物(wu)理阻抗(kang)譜（EIS）對(dui)GF電(dian)(dian)極的電(dian)(dian)物(wu)理性能進(jin)(jin)行了測試。將(jiang)KOH活(huo)(huo)(huo)性石墨氈應用于電(dian)(dian)解裝置，對(dui)堿性蝕刻液(ye)進(jin)(jin)行電(dian)(dian)解再生(sheng)，并考察其電(dian)(dian)解性能。

1. 實驗性

第1.1部(bu)分 實驗材(cai)料和試劑

購(gou)買(mai)石(shi)墨(mo)氈(zhan)（聚丙(bing)烯腈底座，長度5mm）。陰離(li)子(zi)交(jiao)換(huan)膜由INC.KOH（≥85%），（≥99.0%），無水(shui)乙酸（≥99.7%）和NaCl（≥99.5%）購(gou)買(mai)。CuCl（≥97.0%）購(gou)自北京光復(fu)精細化工(gong)研究院。HCl 是從哪里購(gou)買(mai)的。去離(li)子(zi)水(shui)是從購(gou)買(mai)的。

1.2 石墨(mo)氈的活化用(yong)

打孔(kong)器將石(shi)墨(mo)氈切成圓條（半徑(jing)14mm，寬度5mm），置于(yu)無水乙酸中超(chao)聲沖洗1h，以驅除石(shi)墨(mo)氈木炭纖維表面的有機雜質和(he)石(shi)墨(mo)氈內的纖維殘留物。之后，石(shi)墨(mo)氈用去離子水反復沖洗數次，最后將石(shi)墨(mo)氈在120°C真(zhen)空(kong)干燥(zao)(zao)箱中干燥(zao)(zao)12h。將

預處理后(hou)(hou)的(de)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)暴露(lu)(lu)(lu)于(yu)(yu)6mol/LKOH氨水中，用吸管(guan)排出(chu)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)內部的(de)空(kong)氣，以方便(bian)KOH堿液進入石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)中，然后(hou)(hou)將石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)暴露(lu)(lu)(lu)于(yu)(yu)KOH氨中1h。 取(qu)出(chu)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)，置于(yu)(yu)100°C真(zhen)空(kong)干(gan)燥(zao)箱(xiang)中干(gan)燥(zao)12h。將與(yu)KOH混合的(de)干(gan)燥(zao)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)置于(yu)(yu)碳化硅瓷舟中，放入管(guan)式爐（，），在(zai)N2氣氛中以10°C/min加(jia)熱至900°C，在(zai)此溫(wen)度下熱處理1h，自(zi)然冷(leng)卻至溫(wen)度，取(qu)出(chu)并(bing)在(zai)去離(li)子水下暴露(lu)(lu)(lu)1h，然后(hou)(hou)暴露(lu)(lu)(lu)于(yu)(yu)2mol/次， 并(bing)用去離(li)子水沖(chong)洗石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)，直到(dao)化妝水呈中性。最后(hou)(hou)將石(shi)(shi)(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)置于(yu)(yu)120°C真(zhen)空(kong)干(gan)燥(zao)箱(xiang)中干(gan)燥(zao)12h。

1.3 石墨氈的表征

采用(yong)(yong)場發(fa)射(she)掃描電鏡SEM（430，fú，日(ri)(ri)本）觀察石墨(mo)氈(zhan)活化(hua)前后石墨(mo)氈(zhan)碳纖維(wei)表(biao)面(mian)(mian)形貌(mao)變化(hua)。采用(yong)(yong)全(quan)手動(dong)比表(biao)面(mian)(mian)積(ji)和孔徑分(fen)布器（法(fa)國(guo)）檢測(ce)原(yuan)石墨(mo)氈(zhan)和KOH活性(xing)石墨(mo)氈(zhan)的(de)(de)N2吸(xi)附-解(jie)(jie)吸(xi)曲(qu)線，利用(yong)(yong)BET方程(cheng)得(de)(de)到比表(biao)面(mian)(mian)積(ji)數據，二(er)氧化(hua)碳解(jie)(jie)吸(xi)水溫為200 °C，解(jie)(jie)吸(xi)時間為12h。使用(yong)(yong)X射(she)線光電子能(neng)譜(pu)（XPS，-.，臺灣）以0.1 eV的(de)(de)步長獲得(de)(de)XPS全(quan)光譜(pu)石墨(mo)氈(zhan)。用(yong)(yong)視頻光學接(jie)(jie)觸(chu)(chu)角檢測(ce)器（日(ri)(ri)本）檢測(ce)石墨(mo)氈(zhan)的(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)角，液滴尺寸為4μL，從液滴與石墨(mo)氈(zhan)表(biao)面(mian)(mian)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)10~15s開始，用(yong)(yong)儀器測(ce)量接(jie)(jie)觸(chu)(chu)角數據。

1.4 電物理測試

這石墨

氈（半徑14 mm，寬(kuan)度5 mm）電極(ji)(ji)(ji)(ji)使用電物理(li)工作站（，，日本(ben)）用循(xun)環伏(fu)安(an)法（CV）和電物理(li)阻抗譜(pu)（EIS）進行測(ce)試(shi)。工作電極(ji)(ji)(ji)(ji)為(wei)(wei)石墨氈，輔(fu)助電極(ji)(ji)(ji)(ji)為(wei)(wei)鉑(bo)片（3cm×3cm），參(can)比(bi)電極(ji)(ji)(ji)(ji)為(wei)(wei)[Ag，AgCl/KCl（3.5mol/L）]電極(ji)(ji)(ji)(ji)，電解(jie)質組成為(wei)(wei)0.1mol/+2mol/+2mol/LHCl。對石墨氈電極(ji)(ji)(ji)(ji)進行CV測(ce)試(shi)，掃描電流(liu)范(fan)圍為(wei)(wei)0~0.75V（vs.Ag/AgCl），掃描速(su)度為(wei)(wei)1~10mV/s。EIS測(ce)試(shi)時電流(liu)固定在0.19V（vs.Ag/AgCl），保證三電極(ji)(ji)(ji)(ji)系統每(mei)次(ci)測(ce)試(shi)具有相同的極(ji)(ji)(ji)(ji)化(hua)度，測(ce)試(shi)頻(pin)率(lv)范(fan)圍為(wei)(wei)0.1~，擾動電流(liu)幅值為(wei)(wei)10mV。

1.5 堿性蝕刻(ke)液電解再生實驗

這電解

實驗設置示意圖如圖1所示，電解槽由陰離子交換膜隔開。用兩片石墨氈（20mm×20mm×5mm）填充陽極室，石墨板作為(wei)(wei)集流(liu)(liu)體，參比電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)[Ag，AgCl/KCl（3.5mol/L）]位于(yu)陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)室中(zhong)間，陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)室中(zhong)的(de)銅片作為(wei)(wei)陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)液(ye)(ye)(ye)(ye)的(de)組(zu)成為(wei)(wei)1.7mol/L+0.1mol/+2.0mol/+2.0mol/LHCl，陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)液(ye)(ye)(ye)(ye)的(de)組(zu)成為(wei)(wei)0.4mol/L+0.1mol/+2.0mol/+2.0mol/LHCl。陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)液(ye)(ye)(ye)(ye)和陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)液(ye)(ye)(ye)(ye)分別通過恒流(liu)(liu)泵（HL-2）泵入(ru)(ru)陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)室和陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)室，電(dian)(dian)(dian)解(jie)液(ye)(ye)(ye)(ye)加熱至50°C后再進入(ru)(ru)電(dian)(dian)(dian)解(jie)槽。電(dian)(dian)(dian)解(jie)試驗(yan)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)I控制在0.12A，陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)液(ye)(ye)(ye)(ye)流(liu)(liu)量(liang)(liang)vc為(wei)(wei)1.00mL/min，陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)液(ye)(ye)(ye)(ye)流(liu)(liu)量(liang)(liang)va為(wei)(wei)1.48mL/min和0.89mL/min，電(dian)(dian)(dian)解(jie)液(ye)(ye)(ye)(ye)進出口由N2保(bao)護。時隙電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)（）和陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)位（Ea）數(shu)據(ju)由數(shu)字電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)表(biao)（DP4-TDV±10B）測量(liang)(liang)，電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)數(shu)據(ju)由數(shu)字電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)表(biao)（DP4-）測量(liang)(liang)。陽極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)效率εa由公式（1）估算。

圖(tu)1 堿性蝕刻(ke)液電解再生實驗裝置(zhi)示意圖(tu)

圖1

（1）

在(zai)公(gong)式（1）中(zhong)：F是法(fa)拉第常(chang)數，va是陽極(ji)液流速，Ca，in，Cu+是陽極(ji)液入(ru)口Cu（I.）含量，

Ca，出，Cu+為陽(yang)極液流(liu)出物(wu)Cu（I.）含(han)量，I為實驗電壓硬度。2

結果(guo)和(he)討論 2.1 SEM分析

圖2顯示(shi)了石(shi)墨氈(zhan)的(de)光學(xue)照片，石(shi)墨氈(zhan)的(de)外(wai)觀和規格活化(hua)后

變化不(bu)顯著，KOH活(huo)化后石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈顏色(se)加(jia)深(shen)，反映(ying)了KOH活(huo)性石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈木(mu)炭纖(xian)維(wei)表面(mian)形(xing)貌的變化，促進了石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈對光的吸收能力增強。

從圖3a）和(he)3b）可(ke)以看出，原始石墨(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)木炭纖維的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)具有不連續的(de)(de)(de)白色(se)結構(gou)(gou)(gou)。石墨(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)被(bei)KOH活(huo)化后，碳(tan)(tan)纖維表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)白色(se)結構(gou)(gou)(gou)消失，如圖3c所(suo)示），但石墨(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)碳(tan)(tan)纖維的(de)(de)(de)整體結構(gou)(gou)(gou)保持完(wan)整，沒有開裂。在圖3d所(suo)示的(de)(de)(de)高倍率SEM圖像中，可(ke)以看出KOH活(huo)性石墨(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)碳(tan)(tan)纖維的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)具有粗(cu)糙(cao)的(de)(de)(de)微孔結構(gou)(gou)(gou)，類(lei)似于碳(tan)(tan)纖維表(biao)面(mian)交錯(cuo)平坦的(de)(de)(de)鱗片，但這些粗(cu)糙(cao)的(de)(de)(de)微孔結構(gou)(gou)(gou)相對均勻地分(fen)布在碳(tan)(tan)纖維的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)上。

圖2：原始石(shi)墨(mo)氈(zhan)和KOH活石(shi)墨(mo)氈(zhan)的整(zheng)體材(cai)料照片

圖2GF和GF

圖3 原始石(shi)墨氈[a），b）]和KOH活石(shi)墨氈[c），d）]SEM圖像

圖[a），b）]和GF[c），d）]

在低溫下，KOH和石墨氈的反應如(ru)下[17]：

4KOH+C→4K+CO2+H2O

（二）

6KOH+C→2K+3H2+

（三）

在熱處理(li)過程(cheng)中(zhong)，石墨氈碳(tan)纖(xian)維的(de)表(biao)面部分C被KOH蝕刻，從表(biao)面到(dao)內(nei)部進(jin)行反應，最后在碳(tan)纖(xian)維表(biao)面蝕刻粗(cu)糙(cao)的(de)微(wei)孔結構(gou)。

2.2N2吸附-解吸等溫線

圖4顯示(shi)了原(yuan)始石(shi)墨氈(zhan)和(he)KOH活性(xing)石(shi)墨氈(zhan)的N2吸(xi)附-解吸(xi)等溫線(xian)。經過多點BET擬合處理后(hou)，原(yuan)石(shi)墨氈(zhan)BET比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)為2.7m2/g，KOH活性(xing)石(shi)墨氈(zhan)BET比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)為117.2m2/g，活化后(hou)石(shi)墨氈(zhan)比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)比(bi)原(yuan)石(shi)墨氈(zhan)低(di)約42倍。石(shi)墨氈(zhan)的大比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)可以為Cu（I.）的電物理氧(yang)化提供更多的活性(xing)位點[18]。

圖(tu)4 原石墨氈和KOH活性石墨氈的N2吸附-解吸等溫線(xian)

圖4-GF和GF

2.3XPS 解剖學

數字圖

5a）和圖5d）分(fen)別是原始石(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)和KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)的(de)XPS全(quan)光譜(pu)，峰值C在左右，O峰在左右。KOH活化石(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)后，碳纖(xian)(xian)維(wei)表面的(de)氧含量從(cong)2.60%下降到(dao)6.27%（原子百分(fen)比），表明石(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)碳纖(xian)(xian)維(wei)表面含氧雙(shuang)鍵的(de)數(shu)量增加。對原石(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)和KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)的(de)C1s峰和O1s峰進行(xing)分(fen)層擬合，所得數(shu)據(ju)匯總于(yu)表1中。

C1s峰(feng)分(fen)為5個峰(feng)，如(ru)圖5b）和圖5e）所(suo)示，分(fen)別—COOH（~290.3eV），C

O（~287.4eV）、C—O（~286.2eV）、C—C （~285.1eV） 和 C

C（~284.4eV）。C

C為

石(shi)墨化(hua)(hua)碳(tan)，其(qi)余(yu)4個C為石(shi)墨氈體結(jie)構(gou)缺(que)陷部位。活化(hua)(hua)后，石(shi)墨氈在碳(tan)纖(xian)維表面石(shi)墨化(hua)(hua)了碳(tan)C

C濃度從

54.54%提高到47%，C-C濃度(du)從25.92%下降(jiang)到34.73%。KOH活石墨(mo)氈(zhan)木炭纖維(wei)在(zai)粗(cu)糙表面上(shang)暴露了更多的邊緣不飽和C和缺陷C，這是具(ju)有高反應性的兩(liang)個(ge)C[13]。O1s峰分為3個(ge)峰，如圖5c）和圖5f）所示，分別為C

O（~534.2eV），C—O（~532.6eV），H—O—H（~531.0eV）。KOH活(huo)石(shi)墨氈木炭纖維表面C

O 濃(nong)度C—O濃(nong)度由

0.50%降至2.92%，C—O濃度由(you)1.79%降至2.33%。增加(jia)石墨氈(zhan)(zhan)碳纖維表面含氧雙鍵的(de)(de)數量(liang)將提高石墨氈(zhan)(zhan)的(de)(de)親(qin)水(shui)性，電解液(ye)中的(de)(de)Cu（I.）更適合擴散到(dao)石墨氈(zhan)(zhan)碳纖維表面，有利于(yu)Cu（I）的(de)(de)電物理氧化。KOH活(huo)性石墨氈(zhan)(zhan)中H—O—H的(de)(de)濃度從0.30%下降到(dao)1.02%，這是由(you)于(yu)活(huo)化后含氧雙鍵的(de)(de)降低和石墨氈(zhan)(zhan)的(de)(de)親(qin)水(shui)性更好[19]。

表(biao)1 原始石(shi)墨(mo)氈(zhan)和KOH活性石(shi)墨(mo)氈(zhan)表(biao)面含氧官能團組(zu)成

-

2.4 接觸角

石(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)的(de)潤濕(shi)性(xing)可以通過石(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)與(yu)水的(de)接(jie)(jie)觸角(jiao)來(lai)表征。如圖6所示(shi)，原石(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)的(de)接(jie)(jie)觸角(jiao)為141.8°，KOH活(huo)性(xing)石(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)的(de)接(jie)(jie)觸角(jiao)為83.9°。KOH活(huo)化(hua)后(hou)，石(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)碳(tan)纖維表面引入更多(duo)的(de)含(han)氧(yang)雙鍵，提高(gao)了石(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)(zhan)的(de)潤濕(shi)性(xing)能(neng)。

2.5CV和EIS解剖學

圖7a）顯示了(le)(le)(le)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)電(dian)極(ji)在(zai)2 mV/s掃描速度下的(de)(de)(de)(de)CV曲(qu)線。0.4~0.5V（vs.Ag/AgCl）之間的(de)(de)(de)(de)氧化(hua)峰(feng)對應(ying)于Cu（I.）/Cu（II.）電(dian)對的(de)(de)(de)(de)電(dian)物(wu)理(li)(li)氧化(hua)反(fan)(fan)應(ying)，0.2~0.3V（vs.Ag/AgCl）之間的(de)(de)(de)(de)還(huan)原峰(feng)對應(ying)于Cu（I.）/Cu（II.）對的(de)(de)(de)(de)電(dian)物(wu)理(li)(li)還(huan)原反(fan)(fan)應(ying)。KOH活(huo)性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)電(dian)極(ji)0.151A的(de)(de)(de)(de)氧化(hua)峰(feng)電(dian)壓Ipa比原石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)的(de)(de)(de)(de)0.098A提高了(le)(le)(le)約54%，表(biao)明活(huo)化(hua)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)對陽極(ji)液中(zhong)Cu（I.）氧化(hua)為Cu（II.）的(de)(de)(de)(de)電(dian)物(wu)理(li)(li)活(huo)性(xing)大(da)大(da)提高。XPS數(shu)據表(biao)明，KOH活(huo)性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)的(de)(de)(de)(de)含氧雙(shuang)鍵降低，增(zeng)強(qiang)了(le)(le)(le)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)(de)潤濕性(xing)，促進了(le)(le)(le)氨(an)中(zhong)Cu（I.）向石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)電(dian)極(ji)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)擴散。石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)BET的(de)(de)(de)(de)比表(biao)面(mian)(mian)積數(shu)據表(biao)明，KOH活(huo)性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)碳纖維(wei)的(de)(de)(de)(de)粗糙表(biao)面(mian)(mian)結構促進了(le)(le)(le)碳纖維(wei)表(biao)面(mian)(mian)更多(duo)活(huo)性(xing)位點(dian)的(de)(de)(de)(de)暴露，石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)的(de)(de)(de)(de)大(da)比表(biao)面(mian)(mian)積為電(dian)物(wu)理(li)(li)反(fan)(fan)應(ying)提供了(le)(le)(le)更多(duo)的(de)(de)(de)(de)場(chang)所。

圖7a）中KOH活性石墨氈電極的氧化(hua)峰電位EPA為(wei)0.428V（vs.Ag/AgCl

），比(bi)原石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極0.400V（vs.Ag/AgCl）的氧化峰電(dian)位(wei)高0.028V。這(zhe)是因為KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)氈對(dui)濾液中(zhong)的水合離(li)子具(ju)有(you)良好的吸(xi)(xi)附(fu)能力。一(yi)(yi)方(fang)面，Cu（I.）以(yi)[]-基團形式(shi)存在于電(dian)解(jie)液中(zhong)，電(dian)解(jie)質中(zhong)的大量Cl-競爭性(xing)地吸(xi)(xi)附(fu)在石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極表面;另一(yi)(yi)方(fang)面，Cu（I.）在電(dian)物理氧化成Cu（II.）后不易解(jie)吸(xi)(xi)，并(bing)且在電(dian)極表面的停留時間延(yan)長，因此KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極的氧化峰位(wei)置向正(zheng)電(dian)位(wei)方(fang)向偏斜。

圖(tu)5 原始石(shi)墨(mo)氈(zhan)和KOH活石(shi)墨(mo)氈(zhan)的XPS全光譜[a，d）]，C1s分割(ge)擬合(he)圖(tu)[b，e）]和O1s分割(ge)擬合(he)圖(tu)[c，f）]。

圖5XPS，-[a），b），c）]，GF[d），e），f）]

圖6：原石(shi)墨氈(zhan)a）和KOH活性石(shi)墨氈(zhan)b）的接觸角檢測結(jie)果。

圖6的GFa）和GFb）

圖72 石墨(mo)氈電極的CV曲(qu)線

在(zai) 2mV/s 的(de)掃描速度下），原始石墨氈電極(ji) b） 和

KOH活性石墨氈電極

c）不同(tong)掃描速度下的CV曲(qu)線，2石墨氈電極(ji)CV曲(qu)線Ipa擬合(he)v1/2曲(qu)線d）。

圖）/s，GFb）），d）（Ipa）

數字圖

7b）和圖7c）分別是原始石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)和KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)在(zai)不同掃(sao)描(miao)速度下的(de)(de)(de)CV曲線。根(gen)據-方程，將石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)以不同的(de)(de)(de)掃(sao)描(miao)速度繪制到掃(sao)描(miao)速度的(de)(de)(de)平方根(gen)（v1/2）并線性(xing)擬合，如(ru)圖7d所示），兩種石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)Ipa與(yu)v1/2之間存在(zai)良好(hao)的(de)(de)(de)線性(xing)關(guan)系，表(biao)明Cu（I.）/Cu（II.）電(dian)對在(zai)石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)上(shang)的(de)(de)(de)電(dian)物理(li)氧化反(fan)應受離子擴散過程控制[20]. KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)斜(xie)率為5.10，低(di)于原石(shi)墨(mo)(mo)氈的(de)(de)(de)斜(xie)率3.01，表(biao)明Cu（I.）在(zai)KOH活性(xing)石(shi)墨(mo)(mo)氈電(dian)極(ji)表(biao)面(mian)具有(you)更(geng)快(kuai)的(de)(de)(de)傳熱過程。

圖8顯示了(le)兩個石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)交(jiao)流阻抗譜(pu)（EIS）。EIS是低(di)頻區(qu)域的(de)(de)1個半六(liu)邊形形狀，代表電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷轉移過程;高(gao)頻區(qu)域為一條傾斜直(zhi)線，代表Cu（I.）在石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)中(zhong)的(de)(de)擴散過程。等效(xiao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路為Rs[Qt[]][21]，其(qi)中(zhong)Rs包含(han)石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與輔(fu)助(zhu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解質內阻和(he)(he)測試(shi)線的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻，Rct表示石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)/電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解質界面的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷轉移電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻，恒相(xiang)(xiang)器件(jian)Qt表示石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)/電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解質界面的(de)(de)雙電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)層電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容， 恒相(xiang)(xiang)器件(jian)Qm包含(han)銅(tong)離(li)子(zi)在電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)表面的(de)(de)吸附過程和(he)(he)銅(tong)離(li)子(zi)在石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)孔中(zhong)的(de)(de)擴散過程。原(yuan)石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)和(he)(he)KOH活(huo)性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)的(de)(de)Rs均為0.25Ω;原(yuan)石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)的(de)(de)Rct為0.33Ω，KOH活(huo)性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)的(de)(de)Rct為0.10Ω，遠(yuan)小(xiao)于(yu)原(yuan)石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)，表明KOH活(huo)化后石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)(mo)氈(zhan)具有(you)較高(gao)的(de)(de)Cu（I.）氧化活(huo)性(xing)。

圖82 石墨氈電極(ji)交流(liu)阻(zu)抗圖

圖8GF和GF

2.6 石墨氈電(dian)極(ji)在電(dian)解實驗中的(de)性(xing)能

在電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)為(wei)0.12A的(de)(de)條(tiao)件下，用原石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)和(he)(he)KOH活性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)進(jin)行堿性(xing)蝕刻液(ye)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)再生實(shi)驗，表2總(zong)結(jie)(jie)了(le)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)實(shi)驗的(de)(de)參數和(he)(he)結(jie)(jie)果。當KOH活性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)作為(wei)陽(yang)極(ji)時(shi)，電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)池(chi)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)電(dian)(dian)(dian)(dian)流比(bi)原石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)作為(wei)陽(yang)極(ji)時(shi)低(di)0.05~0.06V，陽(yang)極(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)Ea比(bi)原石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)作為(wei)陽(yang)極(ji)低(di)0.1V。電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)池(chi)電(dian)(dian)(dian)(dian)流增(zeng)加，煤耗減少，陽(yang)極(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)增(zeng)加可有效防止Cl2析出。表3比(bi)較(jiao)了(le)使用KOH活性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)實(shi)驗結(jie)(jie)果與文(wen)獻中(zhong)的(de)(de)結(jie)(jie)果，使用KOH活性(xing)石(shi)(shi)墨(mo)氈(zhan)(zhan)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)實(shi)驗池(chi)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流和(he)(he)陽(yang)極(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)分(fen)別為(wei)1.105~1.150V和(he)(he)0.663~0.757V（相對于SHE），均高于文(wen)獻結(jie)(jie)果。

表2 兩個石墨氈電極電解(jie)回收堿(jian)性氯化銅(tong)蝕(shi)刻液(ye)實驗數(shu)據

注：I=0.12A，vc=1mL·min-1。

表3：不(bu)同陽極電解回(hui)收堿性氯化銅蝕刻液結果比較

3 推論

石墨氈活化處理后，

碳纖維表面含氧(yang)雙鍵數量顯(xian)著增(zeng)加，大大提(ti)高了(le)石墨(mo)(mo)氈(zhan)的(de)(de)潤濕性(xing)。BET的(de)(de)比表面積降低了(le)42倍(bei)，碳纖維表面的(de)(de)碳缺陷碳顯(xian)著增(zeng)加。KOH活(huo)性(xing)石墨(mo)(mo)氈(zhan)的(de)(de)氧(yang)化(hua)峰(feng)電(dian)(dian)壓在CV曲線中增(zeng)大，EIS擬合(he)結果(guo)表明KOH活(huo)性(xing)石墨(mo)(mo)氈(zhan)的(de)(de)Rct較小。以(yi)KOH活(huo)性(xing)石墨(mo)(mo)氈(zhan)為(wei)陽極(ji)進(jin)行堿性(xing)氯化(hua)銅(tong)蝕刻(ke)液(ye)電(dian)(dian)解(jie)再(zai)生，罐體電(dian)(dian)流(liu)和陽極(ji)電(dian)(dian)位(wei)較原石墨(mo)(mo)氈(zhan)分別降低0.05~0.06和0.10V，有利于降低煤耗，防止Cl2析出。